MTD6N15 |
RFQ for MTD6N15 |
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| Technical/Catalog Information | MTD6N15T4 |
| Vendor | ON Semiconductor (VA) |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 3A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Packaging | Digi-Reel? |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Package / Case | DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) |
| FET Feature | Standard |
| Drawing Number | * |
| Lead Free Status | Contains Lead |
| RoHS Status | RoHS Non-Compliant |
| Other Names | MTD6N15T4 MTD6N15T4 MTD6N15T4OSDKR ND MTD6N15T4OSDKRND MTD6N15T4OSDKR |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| MTD6N15 | - | SOT223 | 9827 |
Features |
| • Silicon Gate for Fast Switching Speeds• Low RDS(on) - 0.3 Max• Rugged - SOA is Power Dissipation Limited• SourcetoDrain Diode Characterized for Use WithInductive Loads• Low Drive Requirement - VGS(th) = 4.0 V Max• Surface Mount Package on 16 mm Tape |
| Rating |
Symbol |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DraintoSource Voltage |
VDSS |
150 |
Vdc | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DraintoGate Voltage (RGS = 1.0 M) |
VDGR |
150 |
Vdc | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GatetoSource Voltage - Continuous GatetoSource Voltage - Nonrepetitive (tp 50 ms) |
VGS VGSM |
± 20 ± 40 |
Vdc Vpk | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current - Continuous - Pulsed |
ID IDM |
6.0 20 |
Adc | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C |
PD |
20 0.16 |
Watts W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Total Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C |
PD |
1.25 0.01 |
Watts W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Total Power Dissipation @ TA = 25°C (1) Derate above 25°C |
PD |
1.75 0.014 |
Watts W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating and Storage Junction Temperature Range |
TJ, Tstg SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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